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第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)，因擁有小尺寸、耐高溫、耐高壓等特性，將帶動(dòng)電源、工業(yè)、電動(dòng)車等應(yīng)用邁向下一個(gè)新時(shí)代，被動(dòng)元件業(yè)者普遍看好，中高壓、高容值被動(dòng)元件需求可望跟進(jìn)成長(zhǎng)趨勢(shì)，需求同步放大。

氮化鎵應(yīng)用包括5G 基地臺(tái)與手機(jī)、電源、電動(dòng)車等三大領(lǐng)域，碳化硅相較氮化鎵，更耐高溫、耐高壓，較適合應(yīng)用于嚴(yán)苛的環(huán)境，應(yīng)用包括不斷電系統(tǒng)、智慧電網(wǎng)、電源供應(yīng)器等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。

 被動(dòng)元件業(yè)者分析， 第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展勢(shì)必同步帶動(dòng)大功率被動(dòng)元件需求，以氮化鎵為例，由于氮化鎵Mosfet 具有小巧、高效、發(fā)熱低等特點(diǎn)，電源內(nèi)部設(shè)計(jì)空間因此增加，原本尺寸小的電解電容及Disc 安規(guī)電容，皆將轉(zhuǎn)換為大尺寸MLCC 。

 研調(diào)機(jī)構(gòu)分析資料顯示，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模從今年到2022 年，年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR) 高達(dá)60%;碳化硅到2022 年的年復(fù)合成長(zhǎng)率也高達(dá)40%，也可望帶動(dòng)大尺寸、高功率的被動(dòng)元件需求隨之增加。

 此外，目前不論蘋果或是安卓系手機(jī)，都朝快充領(lǐng)域發(fā)展，業(yè)者認(rèn)為，預(yù)計(jì)到2022 年，快充可望普及化，對(duì)中壓高容的MLCC 需求大幅提升;另外，電動(dòng)車充電則是特高壓應(yīng)用，兩者都是未來趨勢(shì)，相關(guān)被動(dòng)元件廠也積極展開布局。

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